智能车制作

标题: 有图，求真相 [打印本页]

作者: m__dd 时间: 2012-5-21 15:01
标题: 有图，求真相

把自制的pcb版铜线上镀上锡（目的是加强导电能力），功率管发热严重，怎么回事？而没镀锡之前几乎不发热！

图如上：[attach]24784[/attach][attach]24783[/attach]

作者: 木木勇 时间: 2012-5-21 15:03
会不会电流过大了呢·········

作者: m__dd 时间: 2012-5-21 15:05

木木勇发表于 2012-5-21 15:03
会不会电流过大了呢·········

之前都没问题，镀完锡就。。。感觉应该不是镀锡问题，可是这太诡异了

作者: arms 时间: 2012-5-21 16:21
用的是什么型号的NMOS管？可能管子有问题

作者: 老爸豆腐干 时间: 2012-5-21 16:50
镀锡镀短路了~？

作者: m1181324794t 时间: 2012-5-21 17:03
不清楚。我们的好好的

作者: m__dd 时间: 2012-5-21 17:36

arms 发表于 2012-5-21 16:21
用的是什么型号的NMOS管？可能管子有问题

3205

作者: m__dd 时间: 2012-5-21 17:40

m1181324794t 发表于 2012-5-21 17:03
不清楚。我们的好好的

你们的一点不发热吗？我们的没加散热装置温度在60~80之间。可是之前测量功率管根本都没温度（貌似现在必须加了）

作者: arms 时间: 2012-5-21 18:09
程序有没有改啊？

作者: wolflsh 时间: 2012-5-21 18:15
MOS管看起来简单易用，其实设计起来也挺麻烦，没一定理论基础和实际经验我觉得还不如使用BTS,BTN。

IR2104S没带死区控制，所以如果你 HO，LO 线镀锡，会造成驱动电阻减小，使MOS导通速度变快，而在MOS关断时却没有附加电路去快速释放寄生电容所储存的电荷；结果就会导致上桥和下桥交替工作瞬间发生共态导通，即短路，自然 MOS 会发热严重。

作者: 海日生明月 时间: 2012-5-21 18:45
PDF上的这个参数：
Gate drive supply range from 10 to 20V
好像不满足，可以吗？

作者: 海日生明月 时间: 2012-5-21 18:46

wolflsh 发表于 2012-5-21 18:15
MOS管看起来简单易用，其实设计起来也挺麻烦，没一定理论基础和实际经验我觉得还不如使用BTS,BTN。

IR2 ...

PDF上有这句话：
Internally set deadtime

作者: m__dd 时间: 2012-5-21 18:55

wolflsh 发表于 2012-5-21 18:15
MOS管看起来简单易用，其实设计起来也挺麻烦，没一定理论基础和实际经验我觉得还不如使用BTS,BTN。

IR2 ...

我们HO/LO没有接那个小电阻（我们的自举电容较大），会不会是因为它呢？IR2104S是有死区控制的（520ns死区时间）。另外，测的时间，Q1一直关断，Q3一直开通：Q2和Q4是PWM波控制的。Q2Q3Q4均发热，且Q3（一直开通）发热更严重，所以应该不是同臂导通问题。你说的寄生电容确实是个问题，由于我们PCB板是自制的，技术很烂，所以布线只考虑了简单，至于铺铜更是象征性的。
希望大虾再帮忙分析下，另外你说的寄生电容该如何降低（不改变pcb图）

作者: wolflsh 时间: 2012-5-21 19:18

海日生明月发表于 2012-5-21 18:46
PDF上有这句话：
Internally set deadtime

嗯，是我没表达清楚。
我的原意是指它的内部死区时间不可控。

作者: wolflsh 时间: 2012-5-21 19:29

m__dd 发表于 2012-5-21 18:55
我们HO/LO没有接那个小电阻（我们的自举电容较大），会不会是因为它呢？IR2104S是有死区控制的（520ns死区 ...

你是升压到15V，再给2104S供电？

作者: wolflsh 时间: 2012-5-21 19:39
本帖最后由 wolflsh 于 2012-5-21 19:46 编辑

m__dd 发表于 2012-5-21 18:55
我们HO/LO没有接那个小电阻（我们的自举电容较大），会不会是因为它呢？IR2104S是有死区控制的（520ns死区 ...

寄生电容是MOSFET自身所有的，没法去除。

你这电路单单使用2104的栅极驱动是不够的，可能会出现很多问题。

你可以多去百度查下MOSFET的栅极驱动设计。

现在这电路基础上增加驱动电阻和反向二极管，是一种加速关断速度的办法。

作者: wolflsh 时间: 2012-5-21 19:45

m__dd 发表于 2012-5-21 18:55
我们HO/LO没有接那个小电阻（我们的自举电容较大），会不会是因为它呢？IR2104S是有死区控制的（520ns死区 ...

我觉得你最好测测Q3常开时的Vgs是否大于10V。

也可以尝试下将PWM频率减小些。

作者: m__dd 时间: 2012-5-21 21:44

wolflsh 发表于 2012-5-21 19:39
寄生电容是MOSFET自身所有的，没法去除。

你这电路单单使用2104的栅极驱动是不够的，可能会出现很多问 ...

是升压到15V给2104的。你说的死区时间不定，弄的我完全没底了。不过我测了测LO与HO电压输出波形它们有个1~2V的交叉点，然后就正常了。
Q3的Vgs在15.1V。“在这电路基础上增加驱动电阻和反向二极管”，反向二极管怎么接（由于时间原因，能具体说下嘛？是不是和电阻一样也串在栅极？具体型号？？？？？）帮人帮到底呀！！！！先谢了

作者: wolflsh 时间: 2012-5-21 22:04

m__dd 发表于 2012-5-21 21:44
是升压到15V给2104的。你说的死区时间不定，弄的我完全没底了。不过我测了测LO与HO电压输出波形它们 ...

给你篇文章参考下。大部分要注意的他都有提到了。
http://mayer.spaces.eepw.com.cn/articles/article/item/51047

作者: 1391716041 时间: 2012-5-22 19:31

作者: m__dd 时间: 2012-5-22 20:35

1391716041 发表于 2012-5-22 19:31

我老家南阳

作者: wgl404 时间: 2012-7-3 22:44
楼主，你们的电路上电就能直接工作吗？我们的必须连续开关两次才能正常工作呀！

作者: m__dd 时间: 2012-7-6 11:49

wgl404 发表于 2012-7-3 22:44
楼主，你们的电路上电就能直接工作吗？我们的必须连续开关两次才能正常工作呀！

是不是电容充电问题

作者: wgl404 时间: 2012-7-7 00:13

m__dd 发表于 2012-7-6 11:49
是不是电容充电问题

这个怎么检查？

作者: m__dd 时间: 2012-7-7 08:17

wgl404 发表于 2012-7-7 00:13
这个怎么检查？

先把电容充上电（要适当），然后再打开开关

作者: wgl404 时间: 2012-7-7 10:02

m__dd 发表于 2012-7-7 08:17
先把电容充上电（要适当），然后再打开开关

然后有什么现象。。。

作者: wgl404 时间: 2012-7-7 10:09

m__dd 发表于 2012-7-7 08:17
先把电容充上电（要适当），然后再打开开关

还有打开哪个开关。。。

作者: m__dd 时间: 2012-7-7 11:04

wgl404 发表于 2012-7-7 10:09
还有打开哪个开关。。。

qq:1141413378

作者: xxxxxx1 时间: 2012-7-7 13:20
镀锡之前热量在线路上散耗了，镀锡之后线路电阻变小就不发热了

:lol:lol

作者: chiusir 时间: 2012-8-2 11:46
用这个电路的话，作为IO口是合适的，我这里的车载控制板卡就是他来作为光电隔离的。
我测试过：如果不做特殊处理，这个光耦的简单接法输出的波形频率很低，超过3K，波形就没法用了，可以认为是直线的了。建议用6N137和以及HCPL2630等高速光耦。就解决问题了。
对于电源模块，还得检查别的问题，比如是否有设计或焊接缺陷。

作者: m__dd 时间: 2012-8-2 16:00

chiusir 发表于 2012-8-2 11:46
用这个电路的话，作为IO口是合适的，我这里的车载控制板卡就是他来作为光电隔离的。
我测试过：如果不做特 ...

恩，光耦的确是个问题，不要隔离，也可以吧，对2104来说

作者: chiusir 时间: 2012-8-21 13:28
看看芯片的内部结构，有的本身就是隔离的，那就不用了，如果是MOSFET就必须要隔离了。

作者: chiusir 时间: 2012-8-21 13:28

m__dd 发表于 2012-8-2 16:00
恩，光耦的确是个问题，不要隔离，也可以吧，对2104来说

看看芯片的内部结构，有的本身就是隔离的，那就不用了，如果是MOSFET就必须要隔离了。

作者: 、煈の°絮だ 时间: 2012-8-23 11:01
楼上正解 ~
在各个mos管处并联高速二极管迅速自消耗寄生电容储存的电荷这样就不会发烫了~

作者: 、煈の°絮だ 时间: 2012-8-23 11:03
发烫不发烫好多都不在于mos管的功率而是均流做的好不好 ~ 所以像那种并联好多mos管的驱动照样发烫并且因为并联还会造成极间电容增大增大导通时间反而造成更为严重的发烫~

作者: 514725804 时间: 2013-1-5 18:53

wolflsh 发表于 2012-5-21 18:15
MOS管看起来简单易用，其实设计起来也挺麻烦，没一定理论基础和实际经验我觉得还不如使用BTS,BTN。

IR2 ...

那再2104输出端加一个下拉电阻会不会好点？
请教了

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