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标题: 为什么没有完全使用PMOS搭建H桥呢？ [打印本页]

作者: 柯南大侠 时间: 2013-1-3 13:03
标题: 为什么没有完全使用PMOS搭建H桥呢？
在搞H桥，大多数方案是PMOS和NMOS组合，或者是全采用NMOS（IRF3205之类的）……突然就郁闷了，为什么几乎没见过完全使用四个PMOS管组建H桥的方案呢？这其中有什么原因么？望大神回答！！

作者: 1006110218 时间: 2013-1-3 13:12
可能是因为PMOS的空穴迁移速率小，导致了低的电流驱动能力和跨导！

作者: arms 时间: 2013-1-3 13:24
内阻小的PMOS比较少，电流大的PMOS也比较少

作者: 严鸿雁 时间: 2013-1-3 14:04
你不妨试试，，反正也不贵

作者: 青龙00 时间: 2013-1-3 14:15
呵呵，通俗地讲，N沟道的mos管导通时电流大，p沟道的mos管导通时电流小，本来H桥用2个P沟道,2个N沟道的mos管，为了输出更强的电流，就用4个N沟道的mos管。

作者: turf456 时间: 2013-1-3 16:08
总之就是同规格的P性能差于N。

作者: znfc2 时间: 2013-1-3 17:20

turf456 发表于 2013-1-3 16:08
总之就是同规格的P性能差于N。

凤姐一针见血

作者: sangxiaoran 时间: 2013-1-3 18:04
p的驱动电流差

作者: dan92 时间: 2013-1-3 21:01
我的H桥是p+n，通电的现象很奇怪，带电不转，桥壁给12v、0v不转，通电一会，没反应……又突然有反映，电机狂转，还带自动减速又提速，最后接反向桥臂电压停顿，又疯转，看不清变向没……不同桥臂电压，扔疯转，最后短D电压才ok停了……这样根本无法控制~而且控制的话加什么中间芯片防烧单片机？用光耦可行吗，这样pwm可以正常驱动吗？ps，测试用电为2充电器~~

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