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标题: 问个nmos管问题，大家进来看看啦 [打印本页]

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作者: ＂沉沉睡去.    时间: 2013-11-30 13:34
标题: 问个nmos管问题，大家进来看看啦
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根据图，可知漏极电流在10A的时候，VGS只要大于4伏，VDS就会非常小，可以看做导通。
可是漏极电流是由什么决定的呢，在这图中VDS在变化的过程时，漏极电流为什么能保持不变呢？ 想了好久，想不明白，总觉得漏极电流应该是被决定的量，怎么这里就成了自变量了，谁可以讲解一下，感激万分！！

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作者: ＂沉沉睡去.    时间: 2013-11-30 14:46
刚刚用仿真得到几组数据，现在结合数据看看先:D
有个问题，在proteus那个mos管，要120V的栅源电压，导通内阻才很小=。=，是哪里不对么？怎么调里面mos管的参数呢

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作者: 昂~~    时间: 2013-11-30 15:15
mos管相当于一个压控流源吧。模电书上面有这个工作过程。前面一段应该工作在放大区，到后面工作在饱和区时候电流不变。个人意见。

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作者: aytc100    时间: 2013-11-30 17:36
漏极电流是实验条件，由外界的恒流源提供

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作者: ＂沉沉睡去.    时间: 2013-11-30 19:46

aytc100 发表于 2013-11-30 17:36
漏极电流是实验条件，由外界的恒流源提供

恒流源？是什么东西，就是无论怎样都发出同样的电流吗？那漏源极间的电压又怎么加呢，我觉得他电流的调节是通过调节负载电阻而得到的，不知道对不对呢？

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作者: aytc100    时间: 2013-11-30 19:52

＂沉沉睡去. 发表于 2013-11-30 19:46
恒流源？是什么东西，就是无论怎样都发出同样的电流吗？那漏源极间的电压又怎么加呢，我觉得他电流的调节 ...

恒流源的定义自己百度吧，或者去图书馆找本电路分析的书看看就明白了，这是很基本的概念。

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作者: ＂沉沉睡去.    时间: 2013-12-1 08:59

aytc100 发表于 2013-11-30 19:52
恒流源的定义自己百度吧，或者去图书馆找本电路分析的书看看就明白了，这是很基本的概念。

，谢谢哈

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作者: ＂沉沉睡去.    时间: 2013-12-1 09:05

昂~~ 发表于 2013-11-30 15:15
mos管相当于一个压控流源吧。模电书上面有这个工作过程。前面一段应该工作在放大区，到后面工作在饱和区时候 ...

还没开模电的课，不过前面一段应该是饱和区（可变电阻），后面才是放大区（夹断后）吧

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作者: 昂~~    时间: 2013-12-1 10:41

＂沉沉睡去. 发表于 2013-12-1 09:05
还没开模电的课，不过前面一段应该是饱和区（可变电阻），后面才是放大区（夹断后）吧

不好意思，是我记错了。MOS管的饱和区其实相当于三极管的放大区。
此处的ID不是iD，ID的意思是VGS等于2倍的Vt时的漏极电流。

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作者: ＂沉沉睡去.    时间: 2013-12-1 12:00

昂~~ 发表于 2013-12-1 10:41
不好意思，是我记错了。MOS管的饱和区其实相当于三极管的放大区。
此处的ID不是iD，ID的意思是VGS等于2倍 ...

哥们，整个datasheet根本就没有ID和iD之分，这里的ID应该就是实时的漏极电流咯{:soso_e126:}

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作者: 昂~~    时间: 2013-12-2 16:12

＂沉沉睡去. 发表于 2013-12-1 12:00
哥们，整个datasheet根本就没有ID和iD之分，这里的ID应该就是实时的漏极电流咯{:soso_e126: ...

那我也不太清楚了。没好好学当时。。

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作者: ＂沉沉睡去.    时间: 2013-12-2 17:03

昂~~ 发表于 2013-12-2 16:12
那我也不太清楚了。没好好学当时。。

呵呵，还是要谢谢你哈

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