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标题: IR2104的一些问题 [打印本页]

作者: ASUKA 时间: 2014-2-8 10:53
标题: IR2104的一些问题
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在ir2104的典型电路中，为什么要加一个自举电路？
在LO输出高电平的时候，VS必须等效接地。是为什么？
Vs是高端浮置电源公共端，就相当于是高端的地？
Vb是高端浮置电源电压，就相当于是高端的电源？
这个时序图也看不懂，各位大神能否指点下。

作者: ASUKA 时间: 2014-2-8 10:58
还有那个自举电路的原件是怎样选择的？各位大神MOS用的是IRF540么？

作者: glacier0 时间: 2014-2-8 20:03
自举就是一个升压的过程，用足够的电压保证高位MOSFET完全打开

作者: ASUKA 时间: 2014-2-8 23:04

glacier0 发表于 2014-2-8 20:03
自举就是一个升压的过程，用足够的电压保证高位MOSFET完全打开

这个我知道，我主要想问升压之后那个Vs相当于高位地，Vb相当于高位电源神马的具体指什么？

作者: 1224091496 时间: 2014-3-6 10:41
你可以把IN 看作使能端把SD看作你的控制信号 HO 和LO就是对两个MOS的通断控制

作者: ASUKA 时间: 2014-3-12 20:11

1224091496 发表于 2014-3-6 10:41
你可以把IN 看作使能端把SD看作你的控制信号 HO 和LO就是对两个MOS的通断控制

正在了解中

作者: 君威 时间: 2014-3-13 18:16

ASUKA 发表于 2014-3-12 20:11
正在了解中

IN接PWM，SD是使能端，低电平有效。使能时，HO和LO都为低，全部关断。正常情况下SD接VCC。 NMOS还可以用ir7843..

作者: 微微一笑_joe 时间: 2014-3-19 21:29
你们有没有用过ir4427的啊为什么我INA输入15%占空比出来的是 85%的控制电压啊我看技术手册上这个片子的控制逻辑是正常的啊就是输入高输出也是高电平输入低电平输出也是低电平为什么实验结果正好反相？

作者: liuyuefeixue 时间: 2014-6-17 10:33
高端驱动的mos管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以栅极电压要比VCC大4V以上，就要用专门的升压电路，用6009就可以了

作者: mh574194052 时间: 2014-7-8 10:14

ASUKA 发表于 2014-2-8 23:04
这个我知道，我主要想问升压之后那个Vs相当于高位地，Vb相当于高位电源神马的具体指什么？

首先，MOSFET的开启电压是栅极对源极电压即Vgs，当半桥或全桥中MOS管导通对电机供电时，电机两个端子电压分别是地和电机供电电压，这时电机下面和上面两个MOS的源极电压是不一样的，分别是地和电机供电电压。这时下面MOS依旧可以使用恒压开启方式，而上面MOS的开启电压就等于电机供电电压加上原有Vgs才行，要不就不导通或不完全导通发热或烧坏了。所以VS端做上MOS的电压基准（高地），每周期的PWM都会以VS为基准给自举电容（应该是VB端）充电。充电电压对VS也是2104的工作电压，这时VB端电压就是VS+VCC了，上面MOS的Vgs=VS+VCC-电机供电电压（电池电压），由于上面MOS基准电压VS就是电机供电电压，所以上面MOS的Vgs=VS+VCC-VS=VCC，也就是说这时的上下MOS开启电压Vgs都是2104的供电电压了。

作者: ASUKA 时间: 2014-7-9 01:21

mh574194052 发表于 2014-7-8 10:14
首先，MOSFET的开启电压是栅极对源极电压即Vgs，当半桥或全桥中MOS管导通对电机供电时，电机两个端子电压 ...

感谢指导

作者: 天翊 时间: 2014-8-7 09:24

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