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标题: 稳压芯片的前后级电容的选择须严格按照芯片的数据手册么？ [打印本页]

作者: 爪子刀 时间: 2014-4-4 09:32
标题: 稳压芯片的前后级电容的选择须严格按照芯片的数据手册么？
另外，无极性的瓷片电容和贴片电容哪个更适合做芯片的去耦电容或者旁路电容啊。。。。求回复

作者: aytc100 时间: 2014-4-4 09:53
后级不建议用无极性电容。容量比参考值大也行。

作者: Neutrogena 时间: 2014-4-4 10:02
本帖最后由 Neutrogena 于 2014-4-4 10:04 编辑

老型号的NPN或者达林顿做调整管的用电解电容是OK的，但是现在新出的一些CMOS的或者NMOS的新式LDO貌似不推荐用铝电解电容，因为ESR大会影响环路稳定性导致系统震荡。具体还是应该看DATASHEET里面的要求。芯片的去耦电容用0603的104电容效果比直插的好，因为引脚上的寄生电感少。

作者: 爪子刀 时间: 2014-4-4 10:53

Neutrogena 发表于 2014-4-4 10:02
老型号的NPN或者达林顿做调整管的用电解电容是OK的，但是现在新出的一些CMOS的或者NMOS的新式LDO貌似不推荐 ...

谢了

作者: 爪子刀 时间: 2014-4-4 10:54

aytc100 发表于 2014-4-4 09:53
后级不建议用无极性电容。容量比参考值大也行。

谢了

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