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标题: 4N-H桥的一些问题 [打印本页]

作者: agogos 时间: 2011-12-31 21:36
标题: 4N-H桥的一些问题
关注了下H桥，看到也有很多P-N桥的例子，但是无奈手头没有P沟道MOS管（N的太多了，所以不想再买了），所以就琢磨着怎么搭4-N H桥。不知道有没有讨论过这个怎么搭啊？

作者: turf456 时间: 2011-12-31 21:45
可以用IR2103等驱动芯片，不过程序要处理一下，上半桥的占空比不能为100%。
也可以用其它升压装置或者驱动芯片。最终的目的还是通过升压增加Vgs让上半桥完全导通。

作者: quzhanguang 时间: 2011-12-31 22:25
驱动芯片：IR2103 IR2104 IR2110 IR2111 都可以
可以用升压电路来给驱动芯片提供电源，而且如果这个升压后的电压如果比电源电压还高5~10V的话，占空比就可以为100%了

作者: agogos 时间: 2011-12-31 23:28
回复 2# turf456

那好像略微烦了点诶。。但是我感觉可能4N的使用范围更大些吧。。。

作者: agogos 时间: 2011-12-31 23:29
回复 3# quzhanguang

不知道有没有人设计过自举电路的啊。。这个听说也可以的。

作者: quzhanguang 时间: 2012-1-1 10:37
有集成的自举升压就不要用分立自举升压的了吧，好麻烦的

作者: agogos 时间: 2012-1-1 12:19
回复 6# quzhanguang
介绍点芯片吧。。记得IR21XX也带自举的说。。

作者: turf456 时间: 2012-1-1 13:33

回复 quzhanguang
介绍点芯片吧。。记得IR21XX也带自举的说。。
agogos 发表于 2012-1-1 12:19

IR21XX就是那种占空比不能到100%的。

作者: agogos 时间: 2012-1-1 14:11
回复 8# turf456

哦。。这个意思哦。看来还是老老实实用PN管好了~~只是可怜了这么多的N管啊。。

作者: 马合店村 时间: 2012-2-8 23:04

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