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楼主: fg888fg888
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MOS管发热问题

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发表于 2012-6-1 10:46:52 | 只看该作者
一毛钱~~~~~~ 发表于 2012-5-31 13:46
pwm最大值的占空比限制一下就好了

怎么不上来试车了
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发表于 2012-6-1 12:21:18 | 只看该作者
zsk- 发表于 2012-6-1 10:46
怎么不上来试车了

晕。。。原来是你啊。。。这个问题纠结我好几天了。。。。终于在n天后发现了问题,就是关于最大咱孔比的控制。弄下就会缓解很多。。哈哈试试吧。。。这几天跑的大赛道、、、没过去。。。
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发表于 2012-6-1 12:26:31 | 只看该作者
一毛钱~~~~~~ 发表于 2012-6-1 12:21
晕。。。原来是你啊。。。这个问题纠结我好几天了。。。。终于在n天后发现了问题,就是关于最大咱孔比的控 ...

哦 好的
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发表于 2012-6-1 12:30:25 | 只看该作者
一毛钱~~~~~~ 发表于 2012-5-31 19:18
70也没问题。。偶尔有点热。。不超过90就没问题吧。。。

我们的也就30%
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发表于 2012-6-1 17:36:40 | 只看该作者
这个很正常啊,你是半桥驱动还是全桥?驱动原理是怎么样的?如果占空比过大或者过小,有电容在驱动芯片中起充放电的,如果充电时间不够,导致驱动MOS管导通的电荷不够,MOS管处于半导通状态,内阻很大的,所以发热比较大。不知楼主能否明白我的意思
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发表于 2012-6-4 11:05:25 | 只看该作者
H桥有两边同时导通的可能,,就是一边还没关断,,另一边也导通了,,,
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