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aytc100 发表于 2013-11-13 20:46 半N半P:电路简单,内阻较大 全N:电路复杂,需要额外的升压模块,内阻小
turf456 发表于 2013-11-13 20:48 用集成方案吧 全N是性能好,成本低,但驱动起来复杂。 NP是驱动简单,性能差,贵,尤其在高电压大电流方面 ...
囧zZZ 发表于 2013-11-13 21:09 谢谢!!那如果上半桥PMOS并联呢,能不能减小内阻
拭目以待 发表于 2013-11-13 21:14 集成方案是什么?可以具体说说吗?谢谢!
turf456 发表于 2013-11-13 23:37 BTSXXXX,BTNXXXX之类的。淘宝店都有卖的。
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