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稳压芯片的前后级电容的选择须严格按照芯片的数据手册么?

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发表于 2014-4-4 09:32:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
另外,无极性的瓷片电容和贴片电容哪个更适合做芯片的去耦电容或者旁路电容啊。。。。求回复
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发表于 2014-4-4 09:53:24 | 只看该作者
后级不建议用无极性电容。容量比参考值大也行。
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发表于 2014-4-4 10:02:34 | 只看该作者
本帖最后由 Neutrogena 于 2014-4-4 10:04 编辑

老型号的NPN或者达林顿做调整管的用电解电容是OK的,但是现在新出的一些CMOS的或者NMOS的新式LDO貌似不推荐用铝电解电容,因为ESR大会影响环路稳定性导致系统震荡。具体还是应该看DATASHEET里面的要求。芯片的去耦电容用0603的104电容效果比直插的好,因为引脚上的寄生电感少。
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 楼主| 发表于 2014-4-4 10:53:30 | 只看该作者
Neutrogena 发表于 2014-4-4 10:02
老型号的NPN或者达林顿做调整管的用电解电容是OK的,但是现在新出的一些CMOS的或者NMOS的新式LDO貌似不推荐 ...

谢了
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 楼主| 发表于 2014-4-4 10:54:31 | 只看该作者
aytc100 发表于 2014-4-4 09:53
后级不建议用无极性电容。容量比参考值大也行。

谢了
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