[讨论]用分立元件做的逻辑电平MOS驱动

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废话不多说，直接入主题。现在很多人用IRLR7843这样的低压驱动MOS，相对于一般的功率MOS，低压MOS有低的VGS(TH)以及低的QG，这样能让我们省去在电源设计时多加一个升压电路的烦恼，直接用5V以上电源驱动即可。但是现在论坛中大部分半桥驱动都是用的IR2103/4，IR2184等集成驱动芯片。这类芯片有一个特点，就是为了标准功率MOS设计，为了保证MOS可靠导通，这些芯片的UVLO(under voltage lock out)均在9V左右。这样如果一定要使用这类驱动，就没法发挥低压MOS的优势，且升压电路必不可少。为此我在TI的某篇APPLICATION NOTE里找到一个这样的电路，拿出来跟大家一起讨论。

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晕倒，IE模式下不能发图，chrome下能发图不能写字。只能分成几层楼来了。楼上就是我找到的APPLICATION NOTE,有兴趣的人可以自己去找来看看。

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这是我对楼上电路的分析：其实原理和IR2103之类的半桥芯片一样，都是通过自举电容+二极管来转移电荷来达到驱动高端MOSFET的目的。这里最关键的是控制电平的转移，电路中用了一个光耦巧妙的将控制电平信号转移到高端浮地上，之后输后面的UCC的那个芯片，那个芯片是一个集成的单通道MOSFET驱动。由于这个芯片不好买，我决定把他换掉。

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以上是我用MULTISIM自己搭的一个驱动电路，光耦因为没有国内常用的光耦，随便在MULTISIM的库里面找了一个高速光耦。因为只做原理性的仿真，因此低端MOS的隔离光耦没有加上（请原谅我的懒惰）。由于光耦的驱动能力是肯定不够的，就用两个三极管组成图腾柱结构来推后级的MOS。这里三级管选了一个常用的小功率对管2N3904/6。如果对驱动能力不放心，还可换成电流更大的8050和8550。光耦供电和MOS驱动都用的5V电源，MOS管随便在库里面找了个逻辑电平MOS。自举电容用的10U，二极管是肖特基的1n5822。仿真没有用7.2V电源（因为忘了改了），阻感负载，下面上波形。

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以上就是高端MOS的G极和控制信号在一起的波形，参考点均为地。可以看到高端MOS的驱动电压在自举电路的作用下已经被抬升到浮地上去了。而且和控制信号时反向的关系。

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