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【开源】E类双相无线充电底板

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发表于 2019-3-24 18:44:17 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
本PCB工程依旧基于 署名-非商业性使用-相同方式共享 3.0 方式发布
设计依据 其中部分参数根据实际情况稍有修改

PCB工程在此
为避免同学们购买器件出错,可参考此BOM购买

单片机固件和源代码工程


本PCB工程为发射端底板,仅提供无线充电和过热自保功能,功率计量、按规则停振、过流保护、辅助调试等功能需要无线充电顶板配合完成。
感谢龙邱公司在智能车无线充电普及所做的贡献,本PCB工程相比于原有版本有以下改进:基本没啥一样的了
1、续流电感220μH改为两个100μH串联,最大持续电流提高到原有设计的150%,增大了散热面积,降低了分布电容,提高了系统效率;
2、Cs电容由5.6nF+1nF改为三颗2.2nF并联,耐压提高到630V,可承受电流提高到原有设计的150%,更难击穿;
3、如名称所示,功率管驱动方式为双相交替驱动,解决了功率管的开关损耗部分不可并联问题;
4、功率管由AOT254L换为IRFR4615,导通内阻(栅极10V条件下)由46mΩ降低到34mΩ,降低了导通损耗;
5、栅极驱动电压由5V提高到12V,驱动电流由2A提高到4.5A,降低了开关切换时越过米勒平台的时间,因此降低开关损耗;
6、为功率管DS之间并联了肖特基二极管SS5150,降低了功率管由体二极管续流造成的损耗和开关延迟,进一步降低功率管热耗散;
7、紧贴功率管(而不是散热片)放置了两颗热敏二极管,可以更快地感应到功率管的温升,进而启动保护措施;8、24V新增续流二极管,避免在有较大功率输出的时候突然移除电源造成24V网络电压为负值烧毁电路;
9、高压部分完全由绝缘导热硅胶覆盖于28*28*6mm散热片中,避免了可能的烧伤危险。
10、配套的12μH发射线圈链接(实测两种都可以用)
https://item.taobao.com/item.htm?id=565603544779(电感量接近14μH,线比较细,不太圆)
https://item.taobao.com/item.htm?id=561568878520(龙邱原版)



更新:晒PCB打样单的可以领5片已烧录固件的单片机。共发放6份,其中5人制作成功,感谢各位的测评





过热自动保护功能,在关闭散热风扇的条件下大功率持续输出会温度过高,超过一定阈值就停止输出。









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发表于 2022-5-4 15:51:50 | 只看该作者
超哥,请问你发的链接已经挂掉了,能重新发一个吗?
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 楼主| 发表于 2019-12-12 10:52:44 | 只看该作者
wx_GY3NOCjs 发表于 2019-12-10 19:11
噢噢,那你这款发射端有像龙邱那样的发射功率控制吗

功率控制、展示和风扇控制由无线充电顶板完成。这部分功能在普通的自动化专业大学生能力范围内可以搞定,所以请自行设计解决
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发表于 2019-12-10 19:11:15 | 只看该作者
噢噢,那你这款发射端有像龙邱那样的发射功率控制吗
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 楼主| 发表于 2019-12-9 18:51:56 | 只看该作者
wx_GY3NOCjs 发表于 2019-12-9 18:20
超哥,你上面实用的BAT54二极管是想利用温度导致的二极管管压降变化检测温度吗?
这套系统最大的输入和输 ...

1、是
2、输入额定60W最大72W(需要散热片或者风扇)
3、都实测过,有提升
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发表于 2019-12-9 18:20:21 | 只看该作者
超哥,你上面实用的BAT54二极管是想利用温度导致的二极管管压降变化检测温度吗?
这套系统最大的输入和输出的功率是多少啊?
你在上面做的一些优化,比如肖特基二极管代替mos体二极管,预驱动后靠半桥驱动mos,底导通电阻mos,串联功率电感等,有实际对比测试真正的效率提升吗?
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发表于 2019-11-26 12:39:56 | 只看该作者
这样啊,理解了,谢谢超哥
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 楼主| 发表于 2019-11-24 19:07:14 | 只看该作者
wx_GY3NOCjs 发表于 2019-11-24 15:47
可是你半桥的电源来自buck转换器呀,这个芯片最大电流0.6A,虽然功率半桥mos有能力,但电源不行啊

只需要瞬间提供足够的电流就可以了,你可以理解为在两个电容之间进行电荷的搬运。实际上这部分的功耗只有大概1w不到,也就是buck芯片只需要能输出0.1A以上的电流就可以正常工作了
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发表于 2019-11-24 15:47:59 | 只看该作者
可是你半桥的电源来自buck转换器呀,这个芯片最大电流0.6A,虽然功率半桥mos有能力,但电源不行啊
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 楼主| 发表于 2019-11-22 13:48:44 | 只看该作者
wx_GY3NOCjs 发表于 2019-11-20 20:42
那为什么要通过预驱动半桥再驱动后面大功率mos呢,去掉半桥直接驱动不好吗

后面的大功率MOS的栅极驱动需要非常大电流的瞬间驱动能力,这样可以降低开关损耗。加一级功率半桥可以大幅提升驱动能力到MOS管的极限
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