【开源】E类双相无线充电底板

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本PCB工程依旧基于 署名-非商业性使用-相同方式共享 3.0 方式发布
设计依据 其中部分参数根据实际情况稍有修改

PCB工程在此
为避免同学们购买器件出错，可参考此BOM购买

单片机固件和源代码工程


本PCB工程为发射端底板，仅提供无线充电和过热自保功能，功率计量、按规则停振、过流保护、辅助调试等功能需要无线充电顶板配合完成。
感谢龙邱公司在智能车无线充电普及所做的贡献，本PCB工程相比于原有版本有以下改进：基本没啥一样的了
1、续流电感220μH改为两个100μH串联，最大持续电流提高到原有设计的150%，增大了散热面积，降低了分布电容，提高了系统效率；
2、Cs电容由5.6nF+1nF改为三颗2.2nF并联，耐压提高到630V，可承受电流提高到原有设计的150%，更难击穿；
3、如名称所示，功率管驱动方式为双相交替驱动，解决了功率管的开关损耗部分不可并联问题；
4、功率管由AOT254L换为IRFR4615，导通内阻（栅极10V条件下）由46mΩ降低到34mΩ，降低了导通损耗；
5、栅极驱动电压由5V提高到12V，驱动电流由2A提高到4.5A，降低了开关切换时越过米勒平台的时间，因此降低开关损耗；
6、为功率管DS之间并联了肖特基二极管SS5150，降低了功率管由体二极管续流造成的损耗和开关延迟，进一步降低功率管热耗散；
7、紧贴功率管（而不是散热片）放置了两颗热敏二极管，可以更快地感应到功率管的温升，进而启动保护措施；8、24V新增续流二极管，避免在有较大功率输出的时候突然移除电源造成24V网络电压为负值烧毁电路；
9、高压部分完全由绝缘导热硅胶覆盖于28*28*6mm散热片中，避免了可能的烧伤危险。
10、配套的12μH发射线圈链接（实测两种都可以用）
https://item.taobao.com/item.htm?id=565603544779（电感量接近14μH，线比较细，不太圆）
https://item.taobao.com/item.htm?id=561568878520（龙邱原版）



更新：晒PCB打样单的可以领5片已烧录固件的单片机。共发放6份，其中5人制作成功，感谢各位的测评





过热自动保护功能，在关闭散热风扇的条件下大功率持续输出会温度过高，超过一定阈值就停止输出。

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czh123 发表于 2019-3-25 17:19
这个是发射模块吗？

是发射

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张慕杨 发表于 2019-4-26 15:18
超哥，烧录好的单片机还有机会吗

测试阶段已经过去了，现在建议购买单片机和对应的下载器
单片机链接：https://item.taobao.com/item.htm?id=526375811357
下载器链接：https://item.taobao.com/item.htm?id=539372088892

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张慕杨 发表于 2019-5-11 10:12
超哥，要烧录的文件是“E_Power_Bottom_带配置位的烧录文件.ltc”这个文件吗，A相和B相的输出波形我都没有 ...

是这个文件。单片机只要有晶振、供电正确且没有拉低reset引脚，就能初始化。1khz是初始化成功后无条件输出的，两个320k需要在有1khz的基础上再满足测温二极管温度正常（正确焊接，不得悬空）且EN管脚没有被拉低两个条件，才会有输出。

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张慕杨 发表于 2019-5-23 12:13
非常感谢超哥的指导。这个发射模块我做的板还是有点问题，初始化正常，温度正常，EN引脚一直是低。还有稳 ...

EN悬空或者拉高才有输出。两个输入在调试完成之后可以接一起

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hanfanyu 发表于 2019-6-3 00:16
超哥 这个发射端对24v供电有特殊要求吗 我现在单片机有320k的输出 4615的栅极也有幅值12v的pwm 胆识接上适 ...

要求24V3A以上，你可以先给稳压输入供电，调试没问题之后再给功率输入供电。其中稳压输入要求供电超过14V才能正常工作，推荐直接接24V。功率输入可以接0~24V都能工作，但是无线发射功率与输入电压呈正比，可以先接入比较低的电压（比如1V）看看A点波形，正常之后再给较高的电压。

通常情况下，功率输入供电24V的空载功耗不会高于1W

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hanfanyu 发表于 2019-6-5 22:12
后来发现是我用的SK1010二级管被击穿了 换了RHRP3060以后发射端可以工作 不过mos管温度很高 焊上R17那个 ...

当然是原装进口的IRFR4615了，这么重要的管子怎么可能用国产的呢。据说拆机货也可以用，看脸。

SK1010在这里耐压不够，要用耐压150V的肖特基二极管SS5150。MOS管发热的话，一般是谐振不匹配（焊错谐振电容了）或者缺相（AB相中有一相无导通信号）

0欧是温度保护二极管的接地回路，正常工作时不可拆除，否则无法保护MOS管过热击穿

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wx_GY3NOCjs 发表于 2019-11-12 21:11
超哥，什么叫解决了功率管的开关损耗部分不可并联问题啊，你单片机出来的两路khz的信号是同步的？

当然是同步的，A相推完B相推，轮流分担50%工作时间

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wx_GY3NOCjs 发表于 2019-11-20 20:42
那为什么要通过预驱动半桥再驱动后面大功率mos呢，去掉半桥直接驱动不好吗

后面的大功率MOS的栅极驱动需要非常大电流的瞬间驱动能力，这样可以降低开关损耗。加一级功率半桥可以大幅提升驱动能力到MOS管的极限

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wx_GY3NOCjs 发表于 2019-11-24 15:47
可是你半桥的电源来自buck转换器呀，这个芯片最大电流0.6A，虽然功率半桥mos有能力，但电源不行啊

只需要瞬间提供足够的电流就可以了，你可以理解为在两个电容之间进行电荷的搬运。实际上这部分的功耗只有大概1w不到，也就是buck芯片只需要能输出0.1A以上的电流就可以正常工作了