有图，求真相

海日生明月

PDF上的这个参数：
Gate drive supply range from 10 to 20V
好像不满足，可以吗？

海日生明月

wolflsh 发表于 2012-5-21 18:15
MOS管看起来简单易用，其实设计起来也挺麻烦，没一定理论基础和实际经验我觉得还不如使用BTS,BTN。

IR2 ...

PDF上有这句话：
Internally set deadtime

m__dd

wolflsh 发表于 2012-5-21 18:15
MOS管看起来简单易用，其实设计起来也挺麻烦，没一定理论基础和实际经验我觉得还不如使用BTS,BTN。

IR2 ...

我们HO/LO没有接那个小电阻（我们的自举电容较大），会不会是因为它呢？IR2104S是有死区控制的（520ns死区时间）。另外，测的时间，Q1一直关断，Q3一直开通：Q2和Q4是PWM波控制的。Q2Q3Q4均发热，且Q3（一直开通）发热更严重，所以应该不是同臂导通问题。你说的寄生电容确实是个问题，由于我们PCB板是自制的，技术很烂，所以布线只考虑了简单，至于铺铜更是象征性的。
   希望大虾再帮忙分析下，另外你说的寄生电容该如何降低（不改变pcb图）

wolflsh

海日生明月 发表于 2012-5-21 18:46
PDF上有这句话：
Internally set deadtime

嗯，是我没表达清楚。
我的原意是指它的内部死区时间不可控。

wolflsh

m__dd 发表于 2012-5-21 18:55
我们HO/LO没有接那个小电阻（我们的自举电容较大），会不会是因为它呢？IR2104S是有死区控制的（520ns死区 ...

你是升压到15V，再给2104S供电？

wolflsh

m__dd 发表于 2012-5-21 18:55
我们HO/LO没有接那个小电阻（我们的自举电容较大），会不会是因为它呢？IR2104S是有死区控制的（520ns死区 ...

寄生电容是MOSFET自身所有的，没法去除。

你这电路单单使用2104的栅极驱动是不够的，可能会出现很多问题。

你可以多去百度查下MOSFET的栅极驱动设计。

现在这电路基础上增加驱动电阻和反向二极管，是一种加速关断速度的办法。

wolflsh

m__dd 发表于 2012-5-21 18:55
我们HO/LO没有接那个小电阻（我们的自举电容较大），会不会是因为它呢？IR2104S是有死区控制的（520ns死区 ...

我觉得你最好测测Q3常开时的Vgs是否大于10V。

也可以尝试下将PWM频率减小些。

m__dd

wolflsh 发表于 2012-5-21 19:39
寄生电容是MOSFET自身所有的，没法去除。

你这电路单单使用2104的栅极驱动是不够的，可能会出现很多问 ...

   是升压到15V给2104的。   你说的死区时间不定，弄的我完全没底了。不过我测了测LO与HO电压输出波形它们有个1~2V的交叉点，然后就正常了。
    Q3的Vgs在15.1V。“在这电路基础上增加驱动电阻和反向二极管”，反向二极管怎么接（由于时间原因，能具体说下嘛？是不是和电阻一样也串在栅极？具体型号？？？？？）帮人帮到底呀！！！！先谢了

wolflsh

m__dd 发表于 2012-5-21 21:44
是升压到15V给2104的。   你说的死区时间不定，弄的我完全没底了。不过我测了测LO与HO电压输出波形它们 ...

给你篇文章参考下。大部分要注意的他都有提到了。
http://mayer.spaces.eepw.com.cn/articles/article/item/51047

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