智能车MOSFET电机驱动 BJT和MOS管的开关特性及相关细节详解

x舞z · 发表于 2012-12-7 17:32:08

求精华帖

幽墨 · 发表于 2012-12-7 18:00:59

10楼说得对，求续

重剑在江湖 · 发表于 2012-12-7 18:22:18

这么有爱的同学，必须顶一个！

海的声音 · 发表于 2012-12-7 18:23:55

要用了再来看

小挺挺 · 发表于 2012-12-7 18:41:29

暗里着迷 · 发表于 2012-12-7 19:05:09

x舞z · 发表于 2012-12-7 19:11:50

   现在我们应该很清楚图5案例中的错误之处了。第一单片机输出的电压不足以使得IRF540这种管子充分导通。因此图中的管子不是开关，而更像是一个放大器。第二,单片机的I/O输出能力不能满足PWM情况下导通速度的要求。即使换成低阈值的MOSFET,开启和关断的时间太长，MOSFET在这个过渡阶段同样需要承受很大的功耗。
   图12所示为高速开关应用中常见的MOSFET驱动电路，以一对互补的BJT构成射随器的形式满足驱动电流的要求。其中VT1用于开启式对寄生电容的充电，VT2用于关断时对寄生电容的放电。有时候，我们需要更快的关断速度，通常在栅极电阻R1上并联一个快恢复二极管，这样的话，放电回路经经过这个二极管而不是电阻，这样一个电路用到前面的情况下就没有问题了。
而在实际应用中，我们通常还会在MOSFET的栅源之间并联一个几千欧姆到上百千欧姆的电阻，如图13中的R2所示。这是为了在输入栅源电压不正确的时（前级驱动电路失效），防止MOSFET处于非理性状态。
我们可以做这样一个实验：连接如图14所示的电路，我们会发现，即使栅极悬空，LED也会发光，这说明，栅源之间出现了高于阈值的电压。产生这一电压的原因是寄生电容上的残留电荷，但又不足以使MOSFET充分导通。结果是MOSFET工作在放大区（饱和区），管子承受很大的功耗，从而造成期间的损坏。这种现象更容易发生在低阈值的电压的MOSFET中。为了防止这种情况发生，往往通过栅源间并联电阻泄放寄生电容上的残留电荷。

图5

图6

图10

图12

图13

图14

x舞z · 发表于 2012-12-7 19:16:59

有一部分资料在下面

x舞z · 发表于 2012-12-7 19:20:01

实际应用中的效果如下面网址。 http://www.amobbs.com/thread-5469217-1-1.html

暴走兄弟 · 发表于 2012-12-7 19:38:58

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