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楼主: dapan945
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[硬件类] 关于电机驱动

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发表于 2013-4-10 20:00:32 | 只看该作者
发个图过来就好了
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发表于 2013-11-11 16:18:29 | 只看该作者
楼主,我昨天刚看到你的观点,今天就学习模电的mos管,看输出特性曲线图,可以看到,当栅源电压比漏源电压大一半以上,才会工作在变阻区,还有,为什么说变阻区功耗比较小呢?栅源电压越大,电阻越小这没问题,可是用PWM给栅源电压最多5V啊,有什么可能会比漏源电压的7.2大两倍呢,所以我觉得应该一直会工作在恒流区的?也许升压可以?,那栅极能承受几多电压呢?,我刚看完这个知识点,如果有什么说错的,还望赐教!!

补充内容 (2013-11-11 16:50):
楼主,我错了,不用理我=。=!
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 楼主| 发表于 2013-11-11 17:48:25 | 只看该作者
"沉沉睡去. 发表于 2013-11-11 16:18
楼主,我昨天刚看到你的观点,今天就学习模电的mos管,看输出特性曲线图,可以看到,当栅源电压比漏源电压大 ...

汗……
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发表于 2013-11-11 18:12:02 | 只看该作者
dapan945 发表于 2013-11-11 17:48
汗……

用做开关管的时候,如果在漏极不加电阻,那是不是VGS越高,管压降越低呢(如果是的话,那我把栅极电压升得很高,是不是管功耗就会小呢?), 用MOS管驱动电机的目的是不是为了增大驱动电流呢? 我打算自己做驱动电路,用nmos好还是pmos好呢,为什么,楼主给点建议哈{:soso_e113:}{:soso_e113:}
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 楼主| 发表于 2013-11-11 21:25:43 | 只看该作者
本帖最后由 dapan945 于 2013-11-11 21:29 编辑
"沉沉睡去. 发表于 2013-11-11 18:12
用做开关管的时候,如果在漏极不加电阻,那是不是VGS越高,管压降越低呢(如果是的话,那我把栅极电压升得 ...

一般栅源电压都不得大于20V。PMOS的性能和NMOS都不在一个数量级上。其实开关损耗也是不可忽略的,尤其是频率高时。小小打击你你下:这块你还差很多呀,很多都是一知半解。
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发表于 2013-11-11 22:32:39 | 只看该作者
dapan945 发表于 2013-11-11 21:25
一般栅源电压都不得大于20V。PMOS的性能和NMOS都不在一个数量级上。其实开关损耗也是不可忽略的,尤其是频 ...

恩恩,我也知道我的一知半解,我想请问一下,PMOS和NMOS性能不在一个数量级上,是指什么不在一个数量级上呢?导通电阻吗? 还有为什么要用MOS电路驱动呢?和直接7.2V加在电机上比较,除了可以用PWM控制的优点外,对驱动能力那些有没什么影响呢?会不会增大了电流呢,可能我问题很白痴,但还望前辈指教!!
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 楼主| 发表于 2013-11-11 23:35:36 | 只看该作者
"沉沉睡去. 发表于 2013-11-11 22:32
恩恩,我也知道我的一知半解,我想请问一下,PMOS和NMOS性能不在一个数量级上,是指什么不在一个数量级上 ...

不想回你了……
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发表于 2013-11-12 14:13:40 | 只看该作者
有没有电路图啊
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 楼主| 发表于 2013-11-13 08:03:29 | 只看该作者
沧海一只猫 发表于 2013-11-12 14:13
有没有电路图啊

说的很清楚了,栅极驱动需要升压。电路图网上多的是,有自举的,有变压器隔离的,有DCDC的……任何一种都行。
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发表于 2014-4-3 23:04:42 | 只看该作者
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