为什么大家做H桥要用mosfet管而不用IGBT呢？

zf12862177 · 发表于 2009-6-2 13:53:09

我觉得IGBT不错啊。。但是看大家都用mosfet。难道是我有什么地方没有注意到IGBT的缺点？

breathless · 发表于 2009-6-2 14:40:43

1# zf12862177
成本高、驱动电路复杂、体积大、性能浪费

zf12862177 · 发表于 2009-6-2 17:01:27

IGBT 管子大？驱动电路复杂？
不是吧？
驱动电路用单片机+2110 +IGBT 不就行了么？

liang110034 · 发表于 2009-6-2 18:13:19

本帖最后由 liang110034 于 2009-6-2 18:14 编辑

完全可以用啊。
个人认为现在的场效应管完全能够满足需要（例如IRF3205极限电流能达到110A、导通电阻仅8毫欧），
IGBT有很多种型号，如果你选用的IGBT极限电流很大、导通内阻很小的话就用IGBT吧。
http://baike.baidu.com/view/115175.htm

breathless · 发表于 2009-6-2 23:51:26

3# zf12862177
你说的是这种东西？

breathless · 发表于 2009-6-3 00:14:52

4# liang110034
就应用而言，要上功率，一般都用IGBT，MOS只用在低压小功率场合。
原因很简单，MOS是单极型器件，导通电阻就是体电阻，很大，造成导通压降大，损耗大，没法做大功率器件
而IGBT是双极型器件，导通的时候有少子注入过程和电导调制效应，导通电阻小，相应的通态压降和损耗都小
不知道SiC器件的问世能不能让MOS向中高压领域发展，SiC器件和目前的Si器件相比，临界击穿电场强度是Si器件的十倍，饱和速率是Si器件的二倍，导热性是Si器件的三倍，前景相当诱人。

liang110034 · 发表于 2009-6-3 06:37:05

本帖最后由 liang110034 于 2009-6-3 06:45 编辑

6# breathless 学习了！
像电磁炉用的IGBT极限电流不是很大（十几到几十A），只是耐压很高（1500V）。
咱的智能车要是用好几百瓦的IGBT岂不会爽死？

breathless · 发表于 2009-6-3 09:26:43

7# liang110034
极限电流达到100A的D2PAK封装的MOS比比皆是，耐压一般在30-40V，参数上已经可以满足智能车需要了。
IGBT，我接触比较多的是kV、kA级别的，还真从来没接触过智能车这个电压范围的IGBT产品。通常说IGBT优于MOS，都是假定在高压（几kV到十几kV）大功率（几MVA到上百MVA）范围，真正几V、几十V的场合，或者把电磁炉里那种耐压1500V的IGBT用到智能车上，表现如何，难说。
个人觉得，没必要。

zf12862177 · 发表于 2009-6-3 12:38:27

哦。。。。看来我得谢谢。。breathless 了

我主要是看到有耐压600v的IGBT
我还看中的是IGBT的驱动电流很小。

zdhly0401 · 发表于 2009-6-3 20:41:18

有点浪费吧

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