在做电机驱动，遇到个问题

＂沉沉睡去.

小弟在尝试做Pmos+Nmos的全桥，其中问题就是怕单片机输出的高电平不能使Pmos管完全截止，于是小弟想了个方案，用10K电阻+个NPN来驱动半桥，这样做电流不大，并且高电平时也达到6点多伏，比原来的5伏好多了。如图

这图还没完善，隔离啊，开关时间那些都没考虑，仿真过没什么问题，不知道这个方案驱动可好？由于本人模电还没开课，对于晶体管和mos管也不是完全了解，想请问下大家意见。
然后当我准备弄隔离的时候，发觉与非门CD4011BE的电源电压可以高达18V，我就想，如果直接把电池电压用作与非门电源电压，那与非门输出的高电平不就有七点多伏了，而且mos管栅极电流很小，我想应该能带得起mos管，这样既可以起到隔离作用，又可以防止PWM高电平不能使PMOS管截止，不知道可不可以这样用呢？
弄这些弄了3天了，一直在看原理，也只在仿真弄过，不知道可不可行呢？求大神拍砖:lol

＂沉沉睡去.

准备断网，最后一句，真心希望明天早上一起来会有很多大神给我建议，谢谢！！

quzhanguang

开关速度不够，坐等烧管子

quzhanguang

有专用IC的，你百度下MOSFET驱动器

＂沉沉睡去.

quzhanguang 发表于 2013-12-6 03:15
开关速度不够，坐等烧管子

这个我知道，我还没加二极管啊，只要加快关闭速度就好了啊

＂沉沉睡去.

quzhanguang 发表于 2013-12-6 03:15
有专用IC的，你百度下MOSFET驱动器

我知道有IC啊，但是你看看我的方案怎么样

＂沉沉睡去.

急急急，准备今天焊了，求大神给点建议啦。。。！

djy

＂沉沉睡去. 发表于 2013-12-6 08:56
我知道有IC啊，但是你看看我的方案怎么样

貌似比较贵！

hpp616

这个好像不行的，你用的什么型号的MOS管，如果是3205的话你这个电路是推不动的，3205完全导通时内阻很低此时驱动电压栅极和源极在10V以上，对于驱动电机来说当3205完全导通时漏极和源极压降很低加在电机两端的电压基本等于电池电压，这时要想使3205完全导通你的栅极电压至少要大于等于10V+电机两端的电压也就是栅极电压至少要17V左右才行的

hpp616

你可以尝试以下把波形幅值抬高，在你的图中给NPN三极管供高电压，就是在三极管集电极10K电阻的上面加高电压